•   >> 中文簡體     
    Technic  
    New Products  
    Home  >> Technic >> Text

    CMOS technology breakthrough in the current limit of transistor technology


    www.wenku61.com 2008-4-7

        

    Freescale Semiconductor company's ITFET (Inverted T Channel-Field 

    Effect Transistor) technology make it come true that a single 

    transistor can be both in the combination of vertical and planar 

    thin body structure, which overcome a vertical multi-gate 

    transistors challenges faced in many design and production, 

    and is expected to open up high performance, low power, small 

    size of the next-generation semiconductor devices. By combining 

    the CMOS’ stability and vertical and low leakage current advantages, 

    the technology end of the vertical planar CMOS and CMOS between 

    the controversy, so it achieve the comprehensive advantages of the 

    two in a single device. As in the vertical channel planar areas 

    mixes silicon, increase the channel width, ITFET vertical planar 

    areas provide enhanced current capability, which reduces 

    parasitic resistance and enhancing the mechanical stability of 

    the vertical channel. Compared with traditional CMOS, the technology 

    can achieve more gate, greater drive current, which reduces 

    leakage current than planar thin body and vertical multi-gate 

    CMOS .CMOS has many advantages, such as: lower leakage current , 

    lower parasitic capacitance and higher on-current, etc.The 

    ITFET technology plan based on the application of 45 nm or above 

    high-end devices.

     <<Back: Nothing
     >>Next: Nothing
     
    Copyright©2003- Shenzhen Huajingda Electronic Co., Ltd. All Right Reserved. YUE-ICP-06054581   Stat.    Powered by  CNebuyer  
     
    av免费一级日本观看,丝袜人妻影音先锋中文字幕,加勒比久在线亚洲综合,青草草色a免费观看在线,亚洲欧美偷拍丝袜卡通动漫,久久99国产精品自在自在,一区二区不卡在线视频